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[主观]

下列关于集成电路的叙述错误的是()。

A、将大量晶体管、电阻及互连线等制作在尺寸很小的半导体单晶片上就构成集成电路。

B、现代集成电路使用的半导体材料通常是硅或砷化镓。

C、集成电路根据它所包含的晶体管数目可分为小规模、中规模、大规模、超大规模和极大规模集成电路。

D、集成电路按用途可分为通用和专用两大类。微处理器和存储器芯片都属于专用集成电路。

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更多“下列关于集成电路的叙述错误的是()。A、将大量晶体管、电阻及互连线等制作在尺寸很小的半导体单晶片上就构成集成电路。B、现代集成电路使用的半导……”相关的问题

第1题

下列关于IC卡的叙述中,错误的是()。
A、IC卡是“集成电路卡”的简称
B、IC卡又称为ChipCard或SmartCard
C、IC卡不仅可以存储数据,还可以通过加密逻辑对数据进行加密
D、非接触式IC卡依靠自带电池供电

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第2题

关于酒精性柯萨柯夫综合征的叙述,下列错误的是()

A、为酒精依赖者神经系统的特有症状之一

B、临床以近记忆障碍为主要表现

C、意识障碍明显

D、在长期大量饮酒及营养缺乏的基础上起病

E、有明显的认知功能损害

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第3题

下列关于盐酸麻黄碱的叙述正确的是

A、本晶易溶于水

B、分子中有两个手性碳原子,四个光学异构体,只有(一)麻黄碱(1•R,2S)有显著活性

C、分子中有两个手性碳原子,四个光学异构体,只有()麻黄碱(1R,2S)有显著活性。

D、属芳烃胺类,氮原子在侧连上

E、本晶的作用与肾上腺素相似,但药效比后者持久

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第4题

下列关于DSA配滤过和递滤过的叙述错误的是()

A、匹配滤过是将系列减影图像加权

B、匹配滤过降低了碘信号

C、匹配滤过降低了背景结构信号

D、递推滤过是应用视频影像处理方式

E、递推滤过可提高图像的对比分辩率

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第5题

下列关于DSA图像积分的叙述错误的是()

A、DSA序列曝光可采集几十帧影像

B、用作减影的是其中几个减影对

C、图像合成是一种空间滤过处理

D、可使系列图像的像素值累加形成一个新的像素值

E、主动将图像变得清晰

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第6题

以下关于GPU的叙述中,错误的是()。
A.GPU是CPU的替代产品
B.GPU目前大量用在比特币的计算方面
C.GPU采用单指令流多数据流计算架构
D.GPU擅长进行大规模并发计算

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第7题

(题干)透过被照体的X线照射到平板探测器的非晶硒层时,由于非晶硒的导电特性被激发出电子-空穴对,
(题干)透过被照体的X线照射到平板探测器的非晶硒层时,由于非晶硒的导电特性被激发出电子-空穴对,即一对正负电子。该电子-空穴对在外加偏置电压形成的电场作用下被分离并反向运动,负电子跑向偏压的正极,正电子跑向偏压的负极,于是形成电流。电流的大小与入射X线光子的数量成正比,这些电流信号被存储在TFT的极间电容上。每个TFT形成一个采集图像的最小单元,即像素。每个像素区内有一个场效应管,在读出该像素单元电信号时起开关作用。在读出控制信号的控制下,开关导通,把存储于电容内的像素信号逐一按顺序读出、放大,送到A/D转换器,从而将对应的像素电荷转化为数字化图像信号。 关于该平板探测器的叙述,错误的是A.属于直接转换
B.属于间接转换
C.成像效果好于IP
D.数据转换不经过可见光
E.需要高压电场
场效应管的作用是A.产生电荷
B.存储电荷
C.开关
D.A/D转换
E.放大

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第8题

关于Access表中的数据操作,下列叙述中错误的是()。
A、一次删除操作可以删除一条或多条记录
B、通过"编辑"菜单中的"定位"级联菜单可以将指定记录确定为当前记录
C、冻结表中列的操作,可以让某些字段总是显示在表浏览器中
D、"冻结列"命令位于"工具"菜单的下拉菜单之中

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第9题

关于神经细胞钠通道的叙述 ,错误的是()
A.属于电压门控通道
B.去极化达到阈电位时被大量激活
C.是引起去极相中再生性钠内流的通道
D.只有激活和失活两种功能状态
E.主要分布在有髓纤维的郎飞结处

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第10题

下列关于数据库设计、运行和维护工作的叙述,错误的是()。
A.数据的备份和恢复一般由数据库管理员负责
B.数据库应用系统投入运行标志着数据库设计工作结束,数据库进入运维阶段
C.为了保证数据可靠性,可以考虑将多个数据副本放到不同的地点
D.运维过程中,应对空间使用的增长情况进行监控

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第11题

关于数字万用表的使用方法错误的是:()

A、测量电阻时,如将两支表笔短接,数值尽可能接近零,若和零值相差较远,这种现象通常是由于表内电池电压不足造成的,应换上新电池方能准确测量

B、量电流与电压不能旋错档位。如果误将电阻档或电流档去测电压,有可能烧坏电表。

C、数字万用表不用时,最好将档位旋至交流电压最高档,避免因使用不当而损坏

D、量电容时,一定要先将被测电容器两引线短路以充分放电,否则电容器内储存的电荷会击穿表内CMOS双时基集成电路

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