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二极管导通后,硅管管压降约为()伏,锗管压降为()伏。

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第1题

硅管的导通压降约为0.7V,锗管的导通压降约为()。
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第2题

硅材料二极管导通电压约为(),锗材料的约为()。

A、06~0.8V,0.1~0.2V

B、0.6~0.8V,0.2~0.3V

C、0.6~0.7V,0.1~0.2V

D、0.6~0.7V,0.2~0.3V

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第3题

硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。

请帮忙给出正确答案和分析,谢谢!
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第4题

硅二极管的死区电压是0.5V,导通电压是0.7V;锗二极管的死区电压是0.2V,导通电压是0.3V()

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第5题

锗二极管的正向导通电压降约为()。

A、0.1V

B、0.3V

C、0.5V

D、0.7V

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第6题

关于半导体二极管的主要参数,下列说法不正确的是()。

A、最大整流电流:管子长期运行时,允许通过的最大正向平均电流

B、正向压降:二极管正向导通后的压降,一般情况,硅管的正向压降为0.2V左右

C、反向电流:指管子未击穿时的反向电流,这个值越小,管子的单向导电性越好

D、极间电容:PN结存在扩散电容和势垒电容,极间电容是反映二极管中PN結电容效应的参数,它是扩散点燃和势垒电容之和

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第7题

硅二极管的正向导通电压降约为()。

A、0.1V

B、0.3V

C、0.5V

D、0.7V

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第8题

小电流硅二极管的死区电压约为0.5V,正向压降约为0.7V。()

正确

错误

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第9题

半导体二极管在正向作用下处于导通状态,此时电阻很小,管压降也很小,所以可以看成短路,而在反向作用下二极管处于截止状态,此时反向电阻很大,可以看成开路。()

正确

错误

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第10题

锗管的基极和发射极之间的正向压降比硅管的正向压降大。()

正确

错误

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第11题

晶闸管有()个PN节,导通时,阳极和阴极的管压降约为()V。

此题为判断题(对,错)。请帮忙给出正确答案和分析,谢谢!
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